特許
J-GLOBAL ID：200903057330752499

半導体装置の作製方法

発明者：
藤井 厳

藤井 厳 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-202687
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059893
出願日： 2006年07月26日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することを目的とする。【解決手段】透光性を有する基板上に非透光性を有するゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に光触媒物質を形成し、光触媒物質をめっき触媒物質を含む溶液中に浸漬し、めっき触媒物質を含む溶液中で、ゲート電極層をマスクとして基板を通過した光で選択的に露光し、露光した光触媒物質にめっき触媒物質を吸着又は析出させ、めっき触媒物質を、金属材料を含むめっき液に浸漬し、めっき触媒物質を吸着又は析出させた光触媒物質表面にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、ソース電極層及びドレイン電極層上に半導体層を形成し、半導体装置を作製する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透光性を有する基板上に非透光性を有するゲート電極層を形成し、 前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、 前記ゲート絶縁層上に光触媒物質を形成し、 前記光触媒物質をめっき触媒物質を含む溶液中に浸漬し、前記めっき触媒物質を含む溶液中で、前記ゲート電極層をマスクとして前記基板を通過した光で選択的に露光し、前記露光した光触媒物質に前記めっき触媒物質を吸着又は析出させ、 前記めっき触媒物質を、金属材料を含むめっき液に浸漬し、前記めっき触媒物質を吸着又は析出した光触媒物質表面にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、 前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/288 ,  H01L 29/417 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/320
FI (7件)：
H01L29/78 616N ,  H01L29/78 616K ,  H01L21/288 E ,  H01L29/50 M ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 370 ,  H01L21/88 B
Fターム (120件)：
4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD21 ,  4M104DD51 ,  4M104DD53 ,  4M104DD78 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033HH19 ,  5F033HH35 ,  5F033HH38 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP26 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ99 ,  5F033VV15 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF10 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK41 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (1件)

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