半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-336298
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181334
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】定格電流領域における逆回復特性(逆回復耐量やソフトリカバリーなど)と大電流領域におけるサージ電流耐量の向上を図る。【解決手段】n+ 層2上にn- 層1がエピタキシャル成長などにより形成され、n- 層1の表面層にp層をイオン注入で形成した後、p層より深くp形不純物を選択的に導入して、p+ 領域5とp領域6を形成する。p領域6の表面濃度を1×1015cm-3〜1×1017cm-3の範囲とし、p+ 領域5の表面濃度を1×1018cm-3〜1×1021の範囲とする。

請求項（抜粋）：

高濃度の第1導電形の第1半導体層上に低濃度の第1導電形の第2半導体層が形成され、第2半導体層上に低濃度の第2導電形の第1半導体領域と高濃度の第2導電形の第2半導体領域とが隣接して選択的に形成され、第1半導体層表面にオーミック接続する第1金属電極が形成され、第1半導体領域表面と第2半導体領域表面とにオーミック接続する第2金属電極が形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/861 , H01L 21/329

FI (2件)：

H01L 29/91 D , H01L 29/91 B

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