特許
J-GLOBAL ID：200903057336787839
端面入射型半導体光電変換装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 洋治 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-048932
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263740
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 窓領域を有する高結合効率の端面入射型半導体光電変換装置およびその製造方法に関し,窓領域用ノンドープ層の水平方向の距離が大きい場合でも高い光結合効率と大きな結合トレランスとが得られるようにする。【構成】 窓領域用ノンドープ半導体層4と,窓領域用ノンドープ半導体層4よりも屈折率が小さい第1の上側半導体層5と,窓領域用ノンドープ半導体層4および光吸収用ノンドープ半導体層2よりも屈折率が小さい第1の下側半導体層1とを含み,さらに,屈折率が光吸収用ノンドープ半導体層2と第1の上側半導体層5との中間の値を有する第2の上側半導体層3と,光吸収用ノンドープ半導体層2よりもエネルギーバンドギャップが大きい窓領域用ノンドープ半導体層4と,屈折率が光吸収用ノンドープ半導体層2と第1の下側半導体層1との中間値を有する第2の下側半導体層9とを含む。
請求項（抜粋）：
吸収した光のエネルギーで自由電子と自由正孔とを生成する光吸収用ノンドープ半導体層の上側と下側とに各々p型半導体層とn型半導体層とを積層した半導体pin接合を有し,該pin接合に平行な方向に伝搬する光を前記光吸収用ノンドープ半導体層に入射させて光電変換を行う端面入射型半導体光電変換装置であって,光吸収用ノンドープ半導体層の上下以外の周囲を取り囲み,該光吸収用ノンドープ半導体層よりもエネルギーバンドギャップが大きい窓領域用ノンドープ半導体層と,光吸収用ノンドープ半導体層および窓領域用ノンドープ半導体層の上側に積層された,窓領域用ノンドープ半導体層よりも屈折率が小さい一導電型の第1の上側半導体層と,光吸収用ノンドープ半導体層および窓領域用ノンドープ半導体層の下側に積層された,窓領域用ノンドープ半導体層および光吸収用ノンドープ半導体層よりも屈折率が小さい反対導電型の第1の下側半導体層とを含む端面入射型半導体光電変換装置において,光吸収用ノンドープ半導体層と第1の上側半導体層との間に,光吸収用ノンドープ半導体層に重なり合い,かつ,互いのどちらか一方がはみ出すことのないように積層され,屈折率が光吸収用ノンドープ半導体層と第1の上側半導体層との中間の値を有する一導電型の第2の上側半導体層と,光吸収用ノンドープ半導体層の上下以外の周囲と,第2の上側半導体層の上下以外の周囲とを取り囲む,光吸収用ノンドープ半導体層よりもエネルギーバンドギャップが大きい窓領域用ノンドープ半導体層と,光吸収用ノンドープ半導体層および窓領域用ノンドープ半導体層と,第1の下側半導体層との間に積層され,屈折率が光吸収用ノンドープ半導体層と第1の下側半導体層との中間値を有する反対導電型の第2の下側半導体層とを含むことを特徴とする端面入射型半導体光電変換装置。
IPC (2件)：
H01L 31/10
, H01L 31/0232
H01L 31/10 A
, H01L 31/02 C
