特許
J-GLOBAL ID：200903057347348519
半導体装置の製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-263361
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120151
出願日： 1992年10月01日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】常圧CVD装置において、薄膜形成時あるいは空搬送時にガスヘッド部からトレー上へ落下した異物を除去することによって、半導体装置面内の膜厚均一性,濃度均一性の悪化を防ぐ。【構成】常圧下で半導体装置表面に化学気相成長に必要なガスを供給するガスヘッド部4と、半導体装置を積載しガスヘッド部4の直下を移送するトレー5と、化学気相成長反応に必要な熱を半導体装置に供給するヒーター7とを有する常圧CVD装置において、トレー5の表面上の異物を真空排気を用いて除去する異物除去部10を設ける。この異物除去部10を設置することにより、トレー5上の異物付着を防ぎ、半導体装置面内の膜厚均一性,濃度均一性が向上する。
請求項（抜粋）：
常圧下で半導体装置表面に化学気相成長に必要なガスを供給するガスヘッド部と、半導体装置をトレーに積載し前記ガスヘッド部直下を移送する搬送系と、前記化学気相成長に必要な熱を供給するヒーターとを有する半導体装置の製造装置において、前記トレー表面上に前記ガスヘッド部から落下する異物を真空排気を用いて除去する異物除去部を備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (2件)：
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