特許

J-GLOBAL ID：200903057348966178

半導体ウェハを湿式加工する装置及びその方法

発明者： カン・ベン・チョン ,  チン・チョー・キー ,  チュア・キエン・ヘン ,  テー・グァト・チェン
出願人/特許権者： チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・リミテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-286369
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176028
出願日： 2001年09月20日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体デバイスの加工タンク内に入る流体の一定の流量を保証する新規な方法及び装置を提供する。【解決手段】流量計は特定の流量に設定され、POUからの流体は流量計を通じて供給され、流体は流量計を通って加工タンク10内に流れる。流体は容器のオーバーフロー点30まで充填することが許容される。オーバーフロー溜り16が提供され、流体回収容器に排出される溢れた流体が供給される。その溢れはセンサ18により検出され、該センサはオーバーフロー・リリーフ弁14を作動させて開き、流体を容器から排出し、オーバーフロー溜り16内への流体のオーバーフローを中和する。オーバーフロー検出器18とオーバーフロー・リリーフ弁14とが相互作用することは、オーバーフロータンクすなわち容器10への流体の供給量が一定量であることを保証する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハを湿式加工する装置において、加工流体が前記ウェハを経て順次に流れることのできる少なくとも1つのポイント・オブ・ユース点を有する閉ループの循環加工流れに前記ウェハを配置する加工タンクであって、前記加工流体が前記ウェハを経て流れるとき、液圧的に加工流体にて満杯となる前記加工タンクと、汚染物質を前記ウェハから除去すべく少なくとも1つの流体を前記加工タンクに供給する手段であって、第一の流体流れ制御弁を有する、前記供給手段と、前記加工流体を前記加工タンクから最初に回収する手段と、前記加工流体を前記加工タンクから2回目に回収する手段であって、第二の流体流れ制御弁を有する、前記回収手段と、流体のオーバーフロー基準レベルと、前記加工流体を前記加工タンクから最初に回収する、前記最初の回収を検出して、最初の回収信号を提供する手段と、前記加工流体を前記加工タンクから2回目に回収する、前記回収手段を作動させる手段とを備える、装置。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  B24B 57/02 ,  H01L 21/304 622

FI (3件)：

B24B 57/02 ,  H01L 21/304 622 E ,  H01L 21/306 J

Fターム (10件)：

3C047GG13 ,  3C047GG18 ,  3C047GG19 ,  5F043AA01 ,  5F043EE28 ,  5F043EE30 ,  5F043EE32 ,  5F043EE33 ,  5F043EE40 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 下降整流式浸漬洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-029029   出願人：株式会社ダン科学
• 特開平4-170029