特許
J-GLOBAL ID：200903057349658949
高周波集積回路装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236306
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074970
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 高周波特性の良好なマイクロストリップ線路をセラミック基板上に高密度で形成することのできる高周波集積回路装置を提供すること。【構成】 セラミック基板(3)の裏面に第1の金属化膜(8)を被着し層間に第2の金属化膜(10)を挟み込んだ多層基板で形成し、この第1及び第2の金属化膜を前記セラミック基板(3)に設けたビアホール(9)を介して電気的に接続した。
請求項（抜粋）：
表面に半導体チップを搭載するチップキャリアと、表面にマイクロストリップ線路を設けたセラミック基板と、ベースキャリアとを備え、前記ベースキャリア上に前記チップキャリアと前記セラミック基板とを実装した高周波集積回路装置において、前記セラミック基板を、裏面に第1の金属化膜を被着し層間に第2の金属化膜を挟み込んだ多層基板で形成し、前記第1及び第2の金属化膜を前記セラミック基板に設けたビアホール(Via Hole)を介して電気的に接続したことを特徴とする高周波集積回路装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12 301
, H01P 5/08
, H03F 3/60
