特許
J-GLOBAL ID：200903057351089781
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-261515
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103064
出願日： 1997年09月26日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】 比較的耐熱性の低い樹脂基板または樹脂フィルム上に半導体装置が形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 樹脂基板もしくは樹脂フィルム上に、半導体薄膜を形成する工程と、所望の形状に加工されたマスクを形成する工程と、該マスクを用いて前記半導体薄膜の所望する領域に不純物の注入を行う工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記不純物の注入工程より前に、前記樹脂基板もしくは樹脂フィルムの被注入面を無機薄膜で被覆する工程を有し、注入される不純物が実質上、前記樹脂基板もしくは樹脂フィルム、あるいはその表面にコーティングされた有機薄膜に到達することを防ぐことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
樹脂基板もしくは樹脂フィルム上に、半導体薄膜を形成する工程と、所望の形状に加工されたマスクを形成する工程と、該マスクを用いて前記半導体薄膜の所望する領域に不純物の注入を行う工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記不純物の注入工程より前に、前記樹脂基板もしくは樹脂フィルムの被注入面を無機薄膜で被覆する工程を有し、注入される不純物が実質上、前記樹脂基板もしくは樹脂フィルム、あるいはその表面にコーティングされた有機薄膜に到達することを防ぐことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/13 101
, G02F 1/136 500
, H01L 21/266
H01L 29/78 616 L
, G02F 1/13 101
, G02F 1/136 500
, H01L 21/265 M
, H01L 29/78 616 M
, H01L 29/78 617 J
, H01L 29/78 617 S
