特許
J-GLOBAL ID：200903057355913420
化合物半導体単結晶の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-160928
公開番号（公開出願番号）：特開平6-001692
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月11日
要約：
【要約】【目的】 液体封止チョクラルスキー法で化合物半導体単結晶を製造する装置において、固液界面直上の単結晶に対するヒータの加熱効果を抑制することができ、0.1以上の湾曲率で結晶の育成を可能にした製造装置を提供しようとするものである。【構成】 育成単結晶の周囲に円筒形断熱体を配置し、原料融液表面から一定の間隔を置いて該断熱体を保持するための支持棒を設けるか、又は、円筒形断熱体を収容する断面U字状の環状ボートを液体封止剤に浮上させることにより、育成単結晶の周囲で、かつ、原料融液表面から一定の間隔を置いて該断熱体を配置したことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造装置である。
請求項（抜粋）：
原料融液と液体封止剤を収容するルツボと、該ルツボの底部を支持するサセプタと、種結晶を下端に取り付けた上軸と、該上軸を昇降する装置と、上記サセプタの周囲に配置したヒータとを備えた化合物半導体単結晶を育成するための製造装置において、育成単結晶の周囲に熱遮蔽板に載せた円筒形断熱体を配置し、原料融液表面から一定の間隔を置いて熱遮蔽板を保持するための支持棒を設けたことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造装置。
IPC (2件)：
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