特許
J-GLOBAL ID：200903057356578250
薄膜形成方法、薄膜形成装置、レーザー光照射装置及びボンバード装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-193102
公開番号（公開出願番号）：特開平6-010117
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月18日
要約：
【要約】【構成】 蒸着等の気相からの堆積法によってベースフィルム20上に薄膜を形成するに際し、薄膜形成装置内のシャッタ5等に付着した堆積物をレーザー光照射による加熱等の非接触方式で除去する方法とその装置。【効果】 堆積物の付着による弊害をなくし、均一な膜厚で高品質な薄膜を形成でき、しかも、非接触方式によるために、装置の稼動を停止することなく生産性よく連続的に形成することができ、完全なインライン化も可能となり、また、堆積物の除去による粉塵等で環境破壊が生じることもない。
請求項（抜粋）：
薄膜形成装置内で気相からの堆積法によって基体上に薄膜を形成するに際し、前記薄膜形成装置内に付着した堆積物を非接触方式で除去する薄膜形成方法。
IPC (3件)：
C23C 14/22
, G11B 5/85
, H01F 41/14
