特許
J-GLOBAL ID:200903057356687687

磁場センサ-と磁場センサ-の操作方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): ▲吉▼川 俊雄
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-525430
公開番号(公開出願番号):特表2005-534913
出願日: 2003年07月29日
公開日(公表日): 2005年11月17日
要約:
磁場の少なくとも一つの成分を測定するための磁場センサーは、磁場集束機として役立つ強磁性コア-(4)と、励磁コイル(3)とそして読み取りセンサー(5)より構成される。読み取りセンサー(5)は、なるべく強磁性コア-(4)の外周端付近に配置される二つのセンサーより構成され、そして磁場の少なくとも一つの成分を測定する。強磁性コア-(4)はリング状または円盤状である。磁場センサーの操作については、強磁性コア-(4)の磁化が読み取りセンサーに信号を発生させないような、予め決められた磁化状態に強磁
請求項(抜粋):
強磁性コア-(4)は予め決められた磁化状態に磁化され、強磁性コア-(4)に予め決められた磁化状態を復元するために励磁コイル(3)に一時的に電流を印加するための励磁コイル(3)と電子回路(2)が存在する事を特徴とする、測定すべき磁場の少なくとも一つの成分が存在する平面に広がり、そして磁場集束機として役立つ半導体チップ(1)に取り付けられたリング状の強磁性コア-(4)と、半導体チップ(1)にまとめられ、強磁性コア-(4)の外周付近に配置され、磁場の少なくとも一つの成分を測定する少なくとも一つのセンサ-を含む読み取りセンサ-(5)を持つ、磁場の少なくとも一つの成分の測定のための磁場センサー。
IPC (1件):
G01R33/07
FI (1件):
G01R33/06 H
Fターム (5件):
2G017AA16 ,  2G017AC07 ,  2G017AC09 ,  2G017AD52 ,  2G017BA01

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