特許
J-GLOBAL ID：200903057359840958
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-225712
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067579
出願日： 1991年09月05日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】 本発明はシリコン基板中に形成した不純物層に熱処理を施す場合、従来の熱処理条件で不純物の拡散を抑制し、微細な半導体装置を製造することを目的とする。【構成】 シリコン基板12にMOSトランジスタ11の構成要素であるゲート酸化膜13、このゲート酸化膜13に形成された多結晶シリコンゲート電極15、さらに素子分離用の絶縁膜14を形成する。その後、このシリコン基板12へ第1の不純物として、ボロンイオン16をイオン注入により導入し第1の不純物層17を形成する。続いて、この不純物層17に隣接する位置にボロンイオンと結合エネルギーの強い第2の不純物19の第1の不純物層18をイオン注入により形成し、熱処理として900度、30分のアニールを施す。この熱処理中に拡散するボロンイオン16を第2の不純物19の逆方向への拡散により抑制する。このように従来の熱処理条件で不純物の拡散を抑制し、微細化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板中の所定の深さ及び所定の位置に第1の不純物を含む領域を選択的なイオン注入により形成する工程と、前記第1の領域に隣接する前記第1の不純物と結合エネルギーの強い第2の不純物を含む領域を選択的なイオン注入により形成する工程と、前記半導体基板の熱処理を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/265
, H01L 29/784
H01L 21/265 A
, H01L 21/265 Z
, H01L 29/78 301 S
