特許

J-GLOBAL ID：200903057362001576

多層配線基板とその製造方法

発明者： 川村 敬三 ,  岸 弘志
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社
代理人 (1件)： 北條 和由
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-094092
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284805
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 製造の容易性、放熱性及び配線の高密度性を備え、配線の高精度化が可能な多層配線基板とその製造方法。【解決手段】 コア配線基板8は、切削可能なセラミックスからなるセラミックス基板1と、その両面に形成された配線パターン5と、この両面の配線パターン5の一部を接続するスルーホール導体4とを有する。その上のビルドアップ配線層16は、前記コア配線基板8上に形成された樹脂絶縁層9と、この樹脂絶縁層9の層間またはその表面に形成された配線パターン11と、この両面の配線パターン5、11の一部を接続するスルーホール導体13とを有する。

請求項（抜粋）：

複数の絶縁層を有し、それらの絶縁層の間または表面に形成された配線パターンの一部が前記絶縁層を貫通するスルーホール導体を介して接続された多層配線基板において、コア配線基板(8)と、このコア基板(8)上に形成された少なくとも一層以上のビルドアップ配線層(16)とを有し、前記コア配線基板(8)は、切削加工が可能な焼結済のセラミックスからなるセラミックス基板(1)と、その両面に形成された配線パターン(5)と、前記セラミックス基板(1)に貫通して形成され、その両面の配線パターン(5)の一部を接続するスルーホール導体(4)とを有し、前記ビルドアップ配線層(16)は、前記コア配線基板(8)上に形成された樹脂絶縁層(9)と、この樹脂絶縁層(9)の層間またはその表面に形成された配線パターン(11)と、前記樹脂絶縁層(9)に貫通して形成され、その両面の配線パターン(5)、(11)の一部を接続するスルーホール導体(13)とを有することを特徴とする多層配線基板。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H05K 7/20

FI (7件)：

H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 K ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 X ,  H05K 7/20 F

Fターム (13件)：

5E322AA11 ,  5E322FA04 ,  5E346AA02 ,  5E346CC18 ,  5E346EE09 ,  5E346EE12 ,  5E346EE13 ,  5E346EE33 ,  5E346FF05 ,  5E346FF13 ,  5E346FF18 ,  5E346FF22 ,  5E346GG15