特許

J-GLOBAL ID：200903057366892696

低誘電率膜及びこの低誘電率膜を有する半導体素子

発明者： 成田 武憲 ,  野部 茂 ,  桜井 治彰 ,  寺田 信子
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-123505
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308089
出願日： 2000年04月25日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 高い機械強度を有し、半導体素子の層間絶縁膜として適用することにより、CMP耐性が向上し、広いプロセスマージンを確保でき、LSIの高性能化、高信頼性、高歩留りが達成される低誘電率膜を提供する。【解決手段】 シリコンウエハー上に膜厚0.5〜0.6μmの膜を形成し、荷重10mgで測定した時の膜の硬度DHT115 が0.45GPa以上で、1MHzで測定した比誘電率が1.9〜2.4である低誘電率膜及びこの低誘電率膜を多層配線の層間絶縁膜として用いた半導体素子。

請求項（抜粋）：

シリコンウエハー上に膜厚0.5〜0.6μmの膜を形成し、荷重10mgで測定した時の膜の硬度DHT115 が0.45GPa以上で、1MHzで測定した比誘電率が1.9〜2.4である低誘電率膜。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 Q

Fターム (12件)：

5F033QQ48 ,  5F033RR23 ,  5F033RR25 ,  5F033SS21 ,  5F033WW02 ,  5F033WW09 ,  5F033XX35 ,  5F058AA08 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01