特許

J-GLOBAL ID：200903057375996933

透明導電膜の製造方法とそれを用いた光電変換半導体装置の製造方法

発明者： 古曵 重美 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068524
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283746
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 制御性のよい不純物ドーピングに基ずく低抵抗化ZnO透明導電膜とその製造方法およびそれを用いた光電変換半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 Mo下部電極上に、CuInSe2薄膜、ZnO薄膜を具備した素子を製造し、これにGa原子のイオン線を加速して照射し、ZnO薄膜を低抵抗化するとともにCuInSe2薄膜中にホモ接合を形成し、光電変換半導体装置を作製した。

請求項（抜粋）：

加速したIA族、IIIA族、またはVIIA族の何れかの原子のイオン線を、単独または複合して、ZnO中の所望の位置に、所望の濃度で前記原子を存在させたことを特徴とする透明導電膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  C03C 4/14 ,  H01B 13/00 503

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-158812   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平1-283711
  
• 特開昭61-279181