特許
J-GLOBAL ID：200903057376681456
多層セラミック回路基板の製造方法及び多層セラミック回路基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-179142
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038259
出願日： 1993年07月20日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 コンピュータ等の電子機器に使用される多層セラミック回路基板の製造方法及びその方法を使用して製造された多層セラミック回路基板に関し、焼成後の導体の密度を向上させて導体の抵抗値の低い多層セラミック回路基板の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 セラミックスのグリーンシートにバイアホールを形成して導体ペーストを充填し、導体ペーストの充填されたグリーンシート上に導体ペーストを印刷して導体パターンを形成し、導体パターンの形成されたグリーンシートの複数枚を積層して焼成する多層セラミック回路基板の製造方法において、前記の焼成工程に続けて、前記の焼成温度より低い温度で熱処理を施すものとする。
請求項（抜粋）：
セラミックスのグリーンシートにバイアホールを形成し、該バイアホールに導体ペーストを充填し、該導体ペーストの充填された前記グリーンシート上に導体ペーストを印刷して導体パターンを形成し、該導体パターンの形成された前記グリーンシートの複数枚を積層して焼成する多層セラミック回路基板の製造方法において、前記焼成工程に続けて、前記焼成温度より低い温度で熱処理をなす工程を有することを特徴とする多層セラミック回路基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 N
, H01L 23/12 D
