特許

J-GLOBAL ID：200903057377171338

改善された半導体材料及びその中に形成されたデバイスのスイッチング速度の制御方法

発明者： ジョセフ ワイ.チャン ,  ラリイ ラテルザ ,  デニス ガービス ,  ヴィレム ジー.アイントーフェン
出願人/特許権者： ジーアイ コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-227114
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037815
出願日： 1993年09月13日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 改善された半導体材料及びその中に形成されたデバイスのスイッチング速度の制御方法を提供する。【構成】 本発明は急峻に規定された不整転位(MD)を生成する改善された方法;これら不整転位にAuをドーピングする新しい安価な方法に係り、本発明では不整転位にAu及びPtドーピングを組合せることにより、任意の量のAu及びデバイス構造中の不整転位のある種の特定の配置より優れている。

請求項（抜粋）：

不整転位を含む領域を形成する条件下で、シリコンウエハ上にエピタキシャル層を成長させることにより、CVD反応容器中でエピタキシャル材料を作製し、ウエハは与えられた温度にある方法において、該方法は、Siウエハの温度を下げる工程と、数パーセントのゲルマニウムを含むシリコン層を成長させるため、該反応容器中にゲルマニウムを含むガスを導入する工程と、室を清浄化する工程と、最初の温度にウエハを加熱する工程と、本質的にGeを含まないSi層を成長させる工程と、第2のGeを含まないSi層を成長させる工程と、最後の層の表面をエッチングし、その一部を除き、室を清浄化する工程とを含むことを特徴とする方法。