特許
J-GLOBAL ID：200903057377888631
半導体圧力変換器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-118955
公開番号（公開出願番号）：特開平9-304206
出願日： 1996年05月14日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 温度や静圧によるゼロシフトとそのばらつきを最小にする。【解決手段】 正方形の半導体チップ3の中央に正方形のダイアフラム3を半導体チップ3に対し略45°傾けて形成する。この半導体チップ3を台座4に陽極接合する。半導体チップ3の厚肉部2aの裏面全体は、台座4に接合されておらず、各角部が段差部10の形成によって台座4から離間されることにより非接合部13を形成している。非接合部13の大きさは、拡散抵抗6a〜6dに生じる半導体チップ3の対角線方向(ダイアフラムの辺に垂直な方向)の応力σrとチップの対角線に垂直な方向(ダイアフラムの辺に平行な方向)の応力σθが等しくなるように形成される。
請求項（抜粋）：
多角形の半導体チップの中央に多角形のダイアフラムを半導体チップに対し略45°傾けて形成し、前記ダイアフラムの縁部付近で前記半導体チップの対角線上に拡散抵抗を設け、前記半導体チップの厚肉部を台座に接合した半導体圧力変換器において、前記拡散抵抗に生じる半導体チップの対角線方向の応力と前記対角線に垂直な方向の応力が等しくなるように前記半導体チップの角部と前記台座との間に非接合部を設けたことを特徴とする半導体圧力変換器。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101
, G01L 27/00
G01L 9/04 101
, G01L 27/00
