特許

J-GLOBAL ID：200903057379520631

成膜装置のクリーニング方法及び処理方法

発明者： 波多野 達夫
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-180790
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016858
出願日： 1997年06月21日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】 Ti膜の成膜ガスであるTiCl4 ガスを用いてプラズマレスで不要なTi膜を除去する成膜装置のクリーニング方法を提供する。【解決手段】 被処理体Wの表面に少なくともTiを含有する金属膜を成膜する成膜装置2のクリーニング方法において、クリーニングガスとしてTiCl4 ガスを用いる。これにより、Ti膜の成膜工程から引き続きクリーニング工程を実施する時に、装置内の温度を変化させることなく連続的にクリーニング工程を実施することができる。

請求項（抜粋）：

被処理体の表面に少なくともTiを含有する金属膜を成膜する成膜装置のクリーニング方法において、クリーニングガスとしてTiCl4 ガスを用いたことを特徴とする成膜装置のクリーニング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 301 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C