特許
J-GLOBAL ID：200903057380351797
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-022711
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223562
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】 素子分離を用いた高集積度半導体装置において、素子形成領域と素子分離領域との境界領域の段差部分のゲート絶縁膜の薄膜化を防止し、電気的特性の向上を図る。【解決手段】 半導体基体1の素子形成領域に、熱酸化速度を制御するイオン種を選択的にイオン注入し、この後熱酸化工程を施すことにより、段差7部分のゲート絶縁膜9を厚膜化する。
請求項（抜粋）：
半導体基体上に素子分離領域と、該素子分離領域との境界領域において段差を有する素子形成領域を形成する工程と、前記素子形成領域表面にゲート絶縁膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記ゲート絶縁膜の形成工程は、前記素子形成領域の段差部分における前記ゲート絶縁膜の膜厚が、該素子形成領域の段差部分以外における該ゲート絶縁膜の膜厚より厚く形成する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (11件)：
5F032AA35
, 5F032AA44
, 5F032BA01
, 5F032BA05
, 5F032CA17
, 5F032DA03
, 5F032DA23
, 5F032DA24
, 5F032DA33
, 5F032DA53
, 5F032DA60
