特許

J-GLOBAL ID：200903057382224458

エッチング工程により非導電状態にすることが可能な導電性装置構造体

発明者： スリカンス クリシュナン ,  ピーター マッキャナリー ,  ジェフ マッキー ,  デビッド ナウリン ,  ポール ニコリアン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-271193
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139459
出願日： 1996年10月14日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 電荷誘起損傷を検出しそれから保護するための導電性装置構造体を提供する。【解決手段】 本導電性装置構造体は、半導体基板と該基板上に配置され一定の幅をもつ第1接触体領域306と、該基板上に第1接触体領域からある間隔離れて配置された一定幅を有する第2接触体領域304と、該基板上に第1接触体領域と第2接触体領域との間に配置され、かつ第1と第2接触体領域間に極めて電気抵抗値の低い導電性経路が得られるように配置された導電体310と、第1及び第2接触体領域と導電体の上に配置され、かつ導電体の少くとも一部分を露出する開口部302とを有する層とを備えている。第1及び第2接触体領域の大部分が前記層により被覆され、露出された導電体310の一部分が選択的に除去されて、第1接触体領域を第2接触体領域から電気的に分離され、導電性装置を非導電性状態にすることで他の回路を保護できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上に配置され、かつ一定の幅を有する第1接触体領域と、前記半導体基板の上に配置され、かつ前記第1接触体領域から間隔距離を有して配置され、かつ一定の幅を有する第2接触体領域と、前記半導体基板の上に配置され、かつ前記第1接触体領域と前記第2接触体領域との間に配置され、かつ前記第1接触体領域と前記第2接触体領域との間に非常に小さな電気抵抗値を有する経路が得られるように配置された導電体と、前記第1接触体領域と前記第2接触体領域と前記導電体との上に配置され、かつ前記導電体の少なくとも一部分を露出するための開口部を有し、かつ前記第1接触体領域と前記第2接触体領域との大部分を被覆する層と、を有し、かつ前記露出した導電体の少なくとも一部分を後で除去することができ、それにより、前記第1接触体領域を前記第2接触体領域から電気的に実質的に分離するための非導電状態にすることが可能な導電性装置構造体。

IPC (3件)：

H01L 23/60 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/82

FI (3件)：

H01L 23/56 B ,  H01L 21/66 Z ,  H01L 21/82 F