特許

J-GLOBAL ID：200903057382757588

半導体光集積素子及びその製造方法

発明者： 畠山 大 ,  佐々木 達也
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-004698
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208862
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 光機能部と受動光導波路部を同一基板上に集積した半導体光集積素子において、導波損失が低く、光機能部との接続部の空隙等による過剰損失のない光集積素子を安定して製造する技術を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体光集積素子1は、活性層114とコア層113の接続部近傍における第一及び第二のクラッド112、111の境界部において活性層114もしくはコア層113が<011>方位に対して基板116面内で有限の角度を有して形成されており、かつ前記第一及び第二のクラッド112、111の接合部が{111}B面115により形成されている構成としてある。これにより、良好な埋め込み構造となり、素子特性を向上することができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも光機能部及び受動光導波路部からなる半導体光集積素子であって、表面が(100)面、又は(100)面に対して微小な傾斜角を有する面方位で構成された半導体基板上に形成された、少なくとも活性層を有する光機能部と、少なくともコア層を有する受動光導波路部からなるとともに、前記活性層と前記コア層が光学的に接続されており、かつ前記活性層と前記コア層の上部に、不純物濃度が異なる第一及び第二のクラッド層が各々形成された構造となっている光集積素子において、前記活性層とコア層の接続部近傍における前記第一及び第二のクラッド層の境界部において前記活性層もしくはコア層が<011>方位に対して基板面内で有限の角度を有して形成されており、かつ前記第一及び第二のクラッド層の接合部が{111}B面により形成されていることを特徴とする半導体光集積素子。

IPC (3件)：

H01S 5/026 ,  G02B 6/122 ,  G02F 1/035

FI (3件)：

H01S 3/18 616 ,  G02F 1/035 ,  G02B 6/12 B

Fターム (38件)：

2H047KA04 ,  2H047LA11 ,  2H047MA05 ,  2H047MA07 ,  2H047NA04 ,  2H047QA02 ,  2H047RA08 ,  2H047TA13 ,  2H047TA24 ,  2H047TA37 ,  2H047TA42 ,  2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079CA05 ,  2H079CA09 ,  2H079DA16 ,  2H079DA22 ,  2H079EA07 ,  2H079EA08 ,  2H079EB04 ,  2H079HA04 ,  2H079HA15 ,  2H079KA11 ,  2H079KA18 ,  2H079KA20 ,  5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA64 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB12 ,  5F073AB21 ,  5F073AB25 ,  5F073BA01 ,  5F073BA03 ,  5F073CA12