特許

J-GLOBAL ID：200903057385492798

薄膜デバイスの製造方法

発明者： 笠井 勉 ,  谷口 秀明 ,  中谷 光雄 ,  月井 教男 ,  笹野 晃
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-123074
公開番号（公開出願番号）：特開平5-313202
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 信号線が断線するのを防止する。【構成】 走査信号線GLを形成し、走査信号線GLの一部を陽極酸化して陽極酸化膜AOFを設けたのちに、走査信号線GLと接続されたゲート端子GTMを形成する。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタを有し、信号線上に陽極酸化膜が設けられた薄膜デバイスを製造する方法において、上記信号線を形成し、上記信号線の一部を陽極酸化したのちに、上記信号線と接続された端子を形成することを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 550 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784