特許
J-GLOBAL ID：200903057386831790
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-124112
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313074
出願日： 1997年05月14日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】チップサイズパッケージ構造の半導体装置を実現する際、電極パッドからの配線引き出し長を極力短くし、ペレット中央付近の電極パッドからの配線引き出しを容易にし、外部電極数が多いペレットにも対応可能にする。【解決手段】半導体素子、配線、複数の電極パッド10a、最終保護膜を備えた半導体ペレット10と、ペレット上の全面を覆うように形成され、各電極パッドの上方に対応してビアホール部12aを有する封止層兼用の絶縁層12と、絶縁層の各ビアホール部内の底面部で電極パッドに電気的に接続されたビアホール配線部13aおよびそれに連なるとともにビアホール部からオフセットした位置にランド部13bを有するように形成された複数の配線パターン13と、各配線パターンのランド部上に設けられたボール状の外部電極14とを具備する。
請求項（抜粋）：
半導体素子、配線、複数の電極パッド、最終保護膜を備えた半導体ペレットと、前記半導体ペレット上の全面を覆うように形成され、前記各電極パッドの上方に対応してビアホール部を有する封止層兼用の絶縁層と、前記絶縁層の各ビアホール部内の底面部で前記電極パッドに電気的に接続されたビアホール配線部およびそれに連なるとともに前記ビアホール部からオフセットした位置にランド部を有するように形成された複数の配線パターンと、前記各配線パターンのランド部上に設けられたボール状の外部電極とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 23/12 L
, H01L 21/92 602 L
, H01L 21/92 602 Z
