特許

J-GLOBAL ID：200903057388219332

放射温度測定装置と放射温度測定方法及び半導体製造装置

発明者： 松土 龍夫 ,  鈴木 智博
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-386040
公開番号（公開出願番号）：特開2002-188962
出願日： 2000年12月19日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】 簡易な放射温度測定を実現する放射温度測定装置と放射温度測定方法及び半導体製造装置を提供する。【解決手段】 ウェーハ1に対向する反射板5を含む放射温度測定装置であって、ウェーハ1の反射板5に対向する面に所定の強度を有する光I0を照射する投光器11と、投光器11が上記面へ光を照射する前後において、ウェーハ1と反射板5の間で多重反射した光の強度を測定するパイロメータ3とを備えたことを特徴とする放射温度測定装置を提供する。

請求項（抜粋）：

対象物に対向する反射板を含む放射温度測定装置であって、前記対象物の前記反射板に対向する面に所定の強度を有する光を照射する光照射手段と、前記光照射手段が前記面へ前記光を照射する前後において、前記対象物と前記反射板の間で多重反射した光の強度を測定する光強度測定手段とを備えたことを特徴とする放射温度測定装置。

IPC (4件)：

G01J 5/00 ,  G01J 5/02 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G01J 5/00 D ,  G01J 5/02 K ,  H01L 21/66 T ,  H01L 21/26 T

Fターム (13件)：

2G066AA01 ,  2G066AC20 ,  2G066BA35 ,  2G066BA38 ,  2G066CA14 ,  4M106AA01 ,  4M106BA20 ,  4M106CA31 ,  4M106DH02 ,  4M106DH12 ,  4M106DH31 ,  4M106DH39 ,  4M106DJ20