特許
J-GLOBAL ID：200903057391273747
エッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-296384
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118825
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 エッチング面に形成される残渣を除去し,エッチング形状を改善することの可能なエッチング方法を提供する。【解決手段】 エッチング対象膜は,上層のFLARE210及び下層のSiO2膜(あるいはSiN膜)220からなり,処理ガスは,エッチング対象膜のジャストエッチング時には少なくともN2とH2とCF4とを含み,オーバーエッチング時には少なくともN2とH2とを含み,SiO2膜またはSiN膜のパターンをエッチングマスク230としてエッチングを行う。CF4の流量は,処理ガスの流量の実質的に0.2〜0.4%である。CF4の流量が0.2%以上であると,エッチング対象膜に含有されるSiに起因する残渣をエッチング時に十分に除去できる。また,0.4%以下であると,エッチングマスクの肩部がエッチングされにくくなる。
請求項（抜粋）：
気密な処理室内に処理ガスを導入し,前記処理室内に配置された基板上に形成されたエッチング対象膜に対するエッチング方法において,前記処理ガスは少なくともN2とH2とフッ素含有ガスとを含み,前記エッチング対象膜は,Siを含有する有機膜からなり,SiO2膜またはSiN膜のパターンをエッチングマスクとしてエッチングを行うことを特徴とする,エッチング方法。
Fターム (21件)：
5F004AA01
, 5F004AA09
, 5F004BA04
, 5F004BA20
, 5F004BB13
, 5F004BB22
, 5F004BB28
, 5F004CA02
, 5F004CA06
, 5F004DA01
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DA30
, 5F004DB23
, 5F004DB24
, 5F004EA06
, 5F004EA07
, 5F004EB01
, 5F004EB03
