特許

J-GLOBAL ID：200903057392709565

オルガノセスキシロキサン前駆体を使用する膜の堆積

発明者： ハツカー,ナイジエル・ピー
出願人/特許権者： アライドシグナル・インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-531850
公開番号（公開出願番号）：特表2003-512383
出願日： 2000年10月17日
公開日（公表日）： 2003年04月02日
要約：

【要約】アルキル基がシルセスキオキサンケージのケイ素原子に結合した構造をもつアルキル置換シルセスキオキサン薄膜前駆体群を提供する。アルキル基は他のアルキル基と同一でも異なっていてもよい。第1の側面において、本発明は式[R-SiO1.5]x[H-SiO1.5]yの蒸着材料を含む組成物を提供し、式中、x+y=nであり、nは2〜30の整数であり、xは1〜nの整数であり、yは0〜nの自然数であり、RはC1〜C100アルキル基である。これらの前駆体から作製した膜と、これらの膜を含む物品も提供する。

請求項（抜粋）：

式〔R-SiO1.5〕x〔H-SiO1.5〕y 〔式中、 RはC1-C100のアルキル基、 x+y=n、 nは2-30の整数、 xは1-nの整数、 yは0-nの整数を表す〕を有する材料から成る組成物。

IPC (5件)：

C07F 7/08 ,  C08G 77/12 ,  C23C 14/10 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/312

FI (5件)：

C07F 7/08 Y ,  C08G 77/12 ,  C23C 14/10 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/312 A

Fターム (36件)：

4H049VN01 ,  4H049VP10 ,  4H049VQ02 ,  4H049VQ79 ,  4H049VU20 ,  4J035BA11 ,  4J035CA021 ,  4J035CA041 ,  4J035LB20 ,  4K029AA02 ,  4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029AA08 ,  4K029AA24 ,  4K029BA46 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029FA07 ,  4K029GA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA44 ,  4K030BB00 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030DA09 ,  4K030JA10 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC10 ,  5F058AF01 ,  5F058AF04