半導体電力変換装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-228039
公開番号（公開出願番号）：特開平10-075564
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】半導体電力変換装置の小型化を図るとともに、スナバ効果を高める。【解決手段】スタックには平形の形状を有するフライホイールダイオード2,自己消弧形半導体素子1,スナバキャパシタ4およびスナバダイオード3を冷却フィン5を介在して直列に積み重ね、これらを一体にして加圧装置6により加圧する。【効果】スタックを小型に構成することが可能となる。またスナバ回路のインダクタンスを極小にすることができ、自己消弧形素子の遮断容量を大きく取ることが可能となる。

請求項（抜粋）：

自己消弧形半導体素子,フライホイールダイオード,スナバダイオード,スナバキャパシタ,冷却フィン、およびその他の周辺回路を有する半導体電力変換装置において、前記自己消弧形半導体素子,フライホイールダイオード,スナバダイオードの各半導体素子は平板状の形状で、その上下面に金属平板によってなる電極を有する平形と称する形状を有し、前記スナバキャパシタは半導体素子と同じ平板状の形状でその上下面に金属平板によってなる電極を有しており、前記半導体素子と前記スナバキャパシタが冷却フィンを介在して互いに直列に積み上げられ圧接され一体となったスタックを構成することを特徴とする半導体電力変換装置。

IPC (3件)：

H02M 1/06 , H01L 25/10 , H01L 25/18

FI (2件)：

H02M 1/06 D , H01L 25/14 B

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