特許
J-GLOBAL ID：200903057405658299
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-129453
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338514
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：
【要約】【目的】 高温逆バイアス(BT)試験においても耐圧の劣化を生じ難い、高信頼性を有する高耐圧P基板型半導体装置を提供する。【構成】 P型の半導体基板1にN型の素子拡散領域および該素子拡散領域の周囲の前記P型基板表面に該素子拡散領域を取囲むN型のガードリング領域5を備えた半導体装置において、前記コレクタ領域4の表面に基板濃度より高い濃度の同型の不純物層15を備える。
請求項（抜粋）：
P型の半導体基板にN型の素子拡散領域および該素子拡散領域の周囲の前記P型基板表面に該素子拡散領域を取囲むN型のガードリング領域を備えた半導体装置において、前記コレクタ領域の表面に基板濃度より高い濃度の同型の不純物層を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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