特許
J-GLOBAL ID：200903057408017715
単一電子トンネル素子およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-108353
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306904
出願日： 1995年05月02日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 室温で動作し、かつ、素子面積が小さくできる単一電子トンネル素子およびその作製方法を提供する。【構成】 シリコン細線にU字型溝を切った構造に加工し、熱酸化を行うと、ストレスの加わるU字型溝10の底部中央付近は酸化速度が溝側壁付近よりも遅いので酸化膜厚に不均一が生じ、この酸化膜11上にゲート電極を作製して正のゲート電圧を加えると、酸化膜が薄くなっているU字型溝の底部中央部には電子が蓄積され、溝側壁付近の酸化膜が厚い部分にはトンネル障壁17が形成されることを特徴とする単一電子トンネル素子。
請求項（抜粋）：
シリコン細線を3次元的に加工し、熱酸化すると不均一に酸化が進むことを利用することを特徴とする単一電子トンネル素子の作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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