スタック・メモリ・セルのためのコバルト自己開始的無電解ビア充填

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋元輝雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-557069
公開番号（公開出願番号）：特表2008-533702
出願日： 2006年02月17日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：

当該機構の導電性の底部上のCo金属への還元により開始されるボトムアップ充填による、Coイオンおよび還元剤を含む組成物からの無電解析出からなる、スタック・メモリ・セル配線機構を無電解的に充填する方法。高アスペクト比のスタック・メモリ・セル配線機構中でCoを無電解的に析出するための無電解析出組成物であって、該組成物が、水、Coイオン、錯化剤、緩衝剤、ボランを主材料とする還元剤成分、および次亜リン酸塩還元剤成分を含むもの。約0.5未満の次亜燐酸還元剤に対するボランを主材料とする還元剤の濃度比が存在する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

スタック・メモリ・セル配線機構を無電解的に充填する方法であって、該方法が以下からなるもの: スタック・メモリ・セル配線機構をCoイオンの供給源および還元剤を含む無電解析出組成物に接触させ、ここでスタック・メモリ配線機構が、導電性の底部、誘電体表面を有する側壁、および少なくとも約2の高さ対幅アスペクト比を有し、それによりCoイオンの一部が導電性の底部上でCo金属に還元され、スタック・メモリ配線機構のボトムアップ充填が、Coイオンの継続する還元により達成されること。

IPC (6件)：

H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 21/28 , H01L 21/288 , H01L 29/417 , H01L 21/768

FI (5件)：

H01L27/10 621Z , H01L21/28 301R , H01L21/288 E , H01L29/50 M , H01L21/90 C

Fターム (42件)：

4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104BB18 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104DD53 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104HH13 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033JJ04 , 5F033JJ15 , 5F033JJ19 , 5F033JJ28 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033LL02 , 5F033LL04 , 5F033NN03 , 5F033NN07 , 5F033PP28 , 5F033VV16 , 5F033WW00 , 5F033WW04 , 5F033XX02 , 5F083AD21 , 5F083GA27 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA19 , 5F083PR22

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