特許
J-GLOBAL ID：200903057408856555
半田バンプの形成方法および半田バンプの実装方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-066592
公開番号（公開出願番号）：特開平11-266073
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【課題】 接合信頼性の高い半田バンプの形成方法および半田バンプの実装方法を提供することを目的とする。【解決手段】 絶縁基板11に設けられた貫通孔12を介して半田ボール15を回路電極13に半田接合して絶縁基板11の回路電極13の反対面に半田バンプ16を形成する半田バンプの形成方法において、半田ボール15より小さい径で設けられた貫通孔12内に半田ボール15の材料の半田の液相線温度よりも高い液相線温度を有するクリーム半田14を供給した後に貫通孔12上に半田ボール15を搭載する。この後絶縁基板11を加熱して半田ボールを溶融させるとともに、貫通孔12内のフラックスの溶剤成分を気化させる。これによりフラックス中の溶剤蒸気の放散を容易にして半田接合中に溶剤蒸気が溶融半田中に残留することによるボイドの発生を防止することができる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板に設けられた貫通孔を介して半田ボールを回路電極に半田接合して前記絶縁基板の回路電極の反対面に半田バンプを形成する半田バンプの形成方法であって、前記半田ボールより小さい径で設けられた前記貫通孔内にこの半田ボールの材料である第1の半田の液相線温度よりも高い液相線温度を有する第2の半田およびフラックスを供給する工程と、前記貫通孔上に前記半田ボールを搭載する工程と、前記絶縁基板を加熱して第1の半田を溶融させるとともに、前記貫通孔内のフラックスの溶剤成分を気化させる工程と、前記絶縁基板をさらに加熱して第2の半田を溶融させることにより、第1の半田および第2の半田を構造的に一体化させて前記回路電極に半田接合する工程とを含むことを特徴とする半田バンプの形成方法。
IPC (5件)：
H05K 3/34 505
, H05K 3/34 512
, B23K 35/22 310
, B23K 35/26 310
, B23K 35/40 340
H05K 3/34 505 A
, H05K 3/34 512 C
, B23K 35/22 310 A
, B23K 35/26 310 B
, B23K 35/40 340 F
