回転サセプタを備える半導体処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：竹内澄夫 , 堀明▲ひこ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-066095
公開番号（公開出願番号）：特開2007-247066
出願日： 2007年03月15日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】ソースガスコンパートメントおよびパージガスコンパートメントがサセプタのサセプタ回転方向において交互して与えられる処理ターゲット上に薄膜を堆積するための装置および方法を提供する。【解決手段】処理ターゲット上に薄膜を堆積するための装置が:反応空間;上下に移動可能であり、かつその中心軸周りに回転可能であるサセプタ1;および、ソースガスコンパートメントおよびパージガスコンパートメントを含む複数のコンパートメントC1〜C4に反応空間を分割するための分離壁3を含み、それにおいて膜の堆積のためにサセプタが上昇されたとき、サセプタと分離壁の間に小さいギャップが作られ、それによってそれぞれのコンパートメントの間にガス分離が設定される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ターゲット上に薄膜を堆積するための装置であって: 反応空間; 複数のターゲット支持エリアを上に有し、前記ターゲット支持エリア上にそれぞれが位置する複数のターゲットを配置するための前記反応空間の内側に位置するサセプタであって、軸線方向において上側位置と下側位置の間で移動可能であり、かつ前記上側位置にあるときはその軸線周りに回転可能となるサセプタ;および、処理のための複数のコンパートメントであって、前記複数のコンパートメントの中心軸線からそれぞれが放射状に延びる隔壁によって分割されており、前記反応空間の内側で、前記ターゲット上における膜の堆積のために前記サセプタが前記上側位置において前記隔壁と接触することなく連続回転可能となるギャップを形成するように前記サセプタの上方に配置され、前記ターゲットが上に配置された前記サセプタが前記上側位置において回転する間、同時に前記コンパートメント内において異なる処理を施すべく構成された複数のコンパートメント; を含む装置。

IPC (2件)：

C23C 16/455 , H01L 21/31

FI (2件)：

C23C16/455 , H01L21/31 C

Fターム (36件)：

4K030AA04 , 4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA20 , 4K030BA41 , 4K030BA43 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA01 , 4K030EA06 , 4K030EA11 , 4K030FA03 , 4K030GA02 , 4K030GA06 , 4K030JA03 , 4K030KA12 , 4K030KA17 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AA15 , 5F045AB31 , 5F045AB39 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045DP28 , 5F045DQ12 , 5F045EC01 , 5F045EE12 , 5F045EE14 , 5F045EE20 , 5F045EF05 , 5F045EF14 , 5F045EF20 , 5F045EM02 , 5F045EM10

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