特許
J-GLOBAL ID：200903057420360298
半導体レーザー装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-064391
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275916
出願日： 1993年03月23日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】低い光出力から高い光出力までの低雑音特性を有し、かつ駆動回路の簡単な自励発振型の半導体レーザー装置を低価格で提供する。【構成】内部ストライプ構造を有する半導体レーザー1において、電極の一方を複数に分割する。分割した第1電極2、第2電極3のそれぞれに定電流源4、5を設け、低出力の時には、両電極2、3のそれぞれに均一に電流を流して自励発振させる。高出力の時には、分割された両電極2、3のいずれか一方の電極に流す電流を発振閾値電流密度以下にして、その電極の下層の活性層および電流ブロック層を過飽和領域として確保する。残りの電極の下層領域でのみレーザー発振させる。
請求項（抜粋）：
一対の電極の間に、第1導電形式の半導体層と、活性層と、第2導電形式の半導体層とがこの順に積層挟持されてなる内部ストライプ構造を有する半導体レーザー素子と、該一対の電極の一方が該ストライプ方向に複数に分割された分割電極のそれぞれに注入する電流を、独立に制御できる制御手段とを備えてなる駆動回路とを有する半導体レーザー装置において、該駆動回路が、レーザーの発光強度が小さい時には、該複数に分割された電極のそれぞれに均等に電流が注入され、レーザーの発光強度が大きい時には、該複数に分割された電極の少なくとも一つの電極に注入する電流を発振閾値電流密度以下にする半導体レーザー装置。
引用特許：
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