特許
J-GLOBAL ID：200903057421288736
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-328522
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167174
出願日： 1991年12月12日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 光ディスク等の光源として用いる低雑音でしかも、低消費電力で量産性の高い半導体レーザ装置を提供する。【構成】 活性層となるGa1ーXAlXAs層の主面の少なくとも一方の側に、順次、一導電型のGa1ーY1AlY1As第一クラッド層、Ga1ーCAlCAsエッチングストップ層および、リッジ状のGa1ーY2AlY2As第二クラッド層を備えるとともに、前記リッジの長手方向の側面に沿って、これらとは逆の導電型のGa1ーZAlZAs電流ブロック層を備えてなり、AlAs混晶比、X、YおよびZの間に、Z>Y2>X≧0、Y1>C>Xの関係を成立させた構成を有している。
請求項（抜粋）：
活性層となるGa1-XAlXAs層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のGa1-Y1AlY1As層、Ga1-CAlCAs層および、リッジ状のGa1-Y2AlY2As層を順次、備えるとともに、前記リッジの長手方向の側面に沿って、これらとは逆の導電型のGa1-ZAlZAs層を備えてなり、AlAs混晶比、X、Y1、Y2、CおよびZの間に、Z>Y2>X≧0、Y1>C>Xの関係を成立させたことを特徴とする半導体レ-ザ装置。
引用特許：
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