特許
J-GLOBAL ID：200903057422672254
配線修正方法および集束イオンビーム装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂上 正明
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000002557
公開番号（公開出願番号）：WO2000-065644
出願日： 2000年04月19日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】第1のガス供給手段17aからシリコン系絶縁膜形成用の第1のガスを供給し、第2のガス供給手段17bから酸化性を有する第2のガスを供給する。第1及び第2のガスの混合ガス雰囲気中で、試料27の開口部領域にイオンビーム29を照射して、開口部内にシリコン系絶縁膜を堆積させる。
請求項（抜粋）：
下地、該下地上に形成された配線網および該配線網を被覆しているシリコン系絶縁膜を具える電子素子の誤配線を修正するに当たり、 前記配線網の前記誤配線を含む所定領域を露出するための開口部を前記絶縁膜に形成する工程と、 該露出された誤配線を正しい配線に変更する配線形成工程と、 該配線形成工程後に、シリコン系絶縁膜形成用の第1のガスおよび酸化性を有する第2のガスの混合ガス雰囲気中で、前記開口部領域にイオンビームを照射して、 前記開口部内にシリコン系絶縁膜を堆積させる工程とを含むことを特徴とする配線修正方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
H01L 21/90 Z
, H01L 21/316 X
