基板処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小谷悦司 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-185071
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032157
出願日： 1996年07月15日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】基板の処理条件に応じたプリディスペンス動作を行わせることにより、ノズル部材での処理液の固化や、処理液が固化した塊状物の供給を適切に防止する。【解決手段】液供給装置30のノズル36からフォトレジスト液を供給して基板表面に薄膜を形成するようにコーターユニット14を構成した。ノズル36は、液供給管38及び制御弁40を介して液貯留タンクに接続し、コーター制御手段62により吐出制御するようにした。また、コーター制御手段62に、プリディスペンスのタイミングを設定するためのタイミング設定部を設け、複数のタイミングモードのなかから基板Wに供給する処理液の性状等の基板の処理条件に応じた一乃至複数のタイミングモードを選定できるようにし、基板処理装置の稼働時には、選定されたタイミングでプリディスペンスを行うべく制御弁40をコーター制御手段62により制御するようにした。

請求項（抜粋）：

ノズル部材から処理液を供給して薄膜を形成するための薄膜形成部を含む複数の処理部に基板を搬出入しながら処理を施すことにより、基板表面に薄膜を形成する基板処理装置において、上記基板に処理液を供給して薄膜を形成する薄膜形成時と、薄膜形成時以外のときに処理液を吐出するプリディスペンス時とに、上記ノズル部材から処理液を吐出させる液吐出駆動手段と、上記液吐出駆動手段を制御する制御手段と、上記プリディスペンス作動のタイミングを基板の処理条件に応じたタイミングに設定するタイミング設定手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/027 , B05C 5/00 101 , B05C 11/08 , G03F 7/30 502 , H01L 21/304 341 , H01L 21/304

FI (6件)：

H01L 21/30 564 C , B05C 5/00 101 , B05C 11/08 , G03F 7/30 502 , H01L 21/304 341 N , H01L 21/304 341 S

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平4-352417
特開平1-205422
特開平2-158122

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