特許
J-GLOBAL ID:200903057423555570

相補形半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 則近 憲佑
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-256859
公開番号(公開出願番号):特開平5-102407
出願日: 1991年10月04日
公開日(公表日): 1993年04月23日
要約:
【要約】【構成】 エンハンスメント形、デプレション形電界効果トランジスタで構成される差動形の相補形半導体集積回路において、差動回路の一方の電界効果トランジスタと、他方の電界効果トランジスタのソース、ドレインを互いに逆方向に配置する。【効果】 差動回路のゲート部に生ずる交差配線を除去する。
請求項(抜粋):
エンハンスメント形電界効果トランジスタと、デプレッション形電界効果トランジスタより構成される、差動形の相補形半導体集積回路において、差動回路の一方の電界効果トランジスタと、他方の電界効果トランジスタのソース、ドレインを互いに逆方向に配置することにより、差動回路のゲート部に生ずる交差配線を除去し、伝播遅延時間増大の原因となるゲート過剰容量の低減と、高い製造歩留りを得ることを特徴とする相補形半導体装置。
IPC (2件):
H01L 27/088 ,  H03K 19/0185
FI (2件):
H01L 27/08 311 A ,  H03K 19/00 101 C

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