特許

J-GLOBAL ID：200903057426465113

傾斜機能材料薄膜及び薄膜トランジスタ

発明者： 松岡 富造 ,  松永 浩二 ,  竹田 守 ,  小林 郁典
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-347180
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183162
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 下層配線と上層配線間の短絡を効果的に防止した多層配線を持つ半導体装置を得ること。【構成】 シリコンと酸素と窒素を成分とする絶縁体薄膜3を、酸素と窒素成分に関して、厚さ方向に互いに逆の傾向の濃度勾配をもつ傾斜機能材料薄膜とし、薄膜トランジスタのゲート絶縁層3や他の半導体装置の絶縁層に用いる。

請求項（抜粋）：

シリコンと酸素および窒素を主成分とする絶縁体薄膜であって、薄膜の厚さ方向に対し前記酸素と窒素が互いに逆方向の濃度勾配を持つことを特徴とする傾斜機能材料薄膜。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/318