特許

J-GLOBAL ID：200903057430700950

半導体レーザの製造方法

発明者： 井上 武史
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 正康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-272050
公開番号（公開出願番号）：特開平10-117039
出願日： 1996年10月15日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】回折格子を形成する工程と活性層の結晶成長工程を時間的に分離できるようにすることにより、製造の工程管理を容易にした半導体レーザの製造方法の実現。【解決手段】共振器方向に周期性を持つ回折格子と、その上方に活性層を含む複数の半導体層を形成する半導体レーザの製造方法において、前記回折格子のエッチング形成工程の後に、一旦回折格子が平坦になるまでクラッド層と同等の低屈折率半導体層を結晶成長させ、続いて表面保護層を形成する工程と、次に、前記表面保護層を除去した直後に活性層を含む半導体層の結晶成長を行う工程を備える。

請求項（抜粋）：

共振器方向に周期性を持つ回折格子と、その上方に活性層を含む複数の半導体層を形成する半導体レーザの製造方法において、前記回折格子のエッチング形成工程の後に、一旦回折格子が平坦になるまでクラッド層と同等の低屈折率半導体層を結晶成長させ、続いて表面保護層を形成する工程と、次に、前記表面保護層を除去した直後に活性層を含む半導体層の結晶成長を行う工程を備えたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。