特許
J-GLOBAL ID：200903057435993947
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-128004
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314682
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：
【要約】【目的】本発明は、半導体製造装置において、半導体ウエハ13上へのウオータマークの形成を防止する。【構成】半導体洗浄装置10内に設けられた純水洗浄槽12内の所定の位置にウエハ13を置き、純水注入用の配管15を通して純水14を純水洗浄槽12内に注入してウエハ13を洗浄する。その後純水14を排水用の配管16を通して排出し、排出完了後バルブ22、ゲートバルブ20及びバルブ24を閉めると同時に空気吸引用の配管18に設けられたバルブ23を開けて真空ホンプ17を駆動させることにより、純水洗浄槽12内の気圧値を予め定めた気圧以下まで低下させる。最後にバルブ24を開けて気体流入用の配管19を通して空気を流入させることにより真空状態を解除する。かくして、大気中のO2 が半導体ウエハ13上の水分に溶け込まないうちに水分を気化させて除去することができるのでウエハの乾燥後ウエハ13上にウオータマークが形成されることはほとんどない。
請求項（抜粋）：
純水注入用の配管と、排水用の配管と、真空ポンプに接続された空気吸引用の配管と、気体流入用の配管とが配設された純水洗浄槽及び当該純水洗浄槽に設けられた半導体ウエハの搬入又は搬出用の開口を開閉する蓋を有する半導体製造装置において、上記純水注入用の配管に設けられた注入バルブを開けて上記純水洗浄槽内に所定量の純水を注入することにより、上記半導体ウエハを洗浄し、洗浄完了後、上記排水用の配管に設けられた排水バルブを開けることにより上記純水を排出し、上記純水の排出完了後、上記排水バルブ及び上記気体流入用の配管に設けられたバルブを閉めると共に上記蓋を閉じて上記開口をふさぐと同時に、上記空気吸引用の配管に設けられたバルブを開けて上記真空ポンプを駆動させることにより上記純水洗浄槽内の気圧を予め定めた気圧値以下になるまで低下させて上記半導体ウエハに付着した水分を気化させて除去し、上記気体流入用の配管に設けられた上記バルブを開けて真空状態を解除することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304 351
