特許

J-GLOBAL ID：200903057436853880

金属膜の形成方法および配線用金属膜

発明者： 川野 浩康 ,  佐々木 真 ,  八木 友久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 久保 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-163523
公開番号（公開出願番号）：特開平8-026889
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年01月30日
要約：

【要約】【目的】工程数を増加することなく下地との密着性を高め、且つ導電性の低下を可及的に抑えることを目的とする。【構成】酸素を混入した状態の雰囲気中で気相成長による金属膜形成を開始し、金属膜形成を続行しながら徐々に酸素の混入量を減じ、酸素の混入を停止した後も一定の膜厚に達するまで気相成長による金属膜形成を続行する。

請求項（抜粋）：

酸素を混入した状態の雰囲気中で気相成長による金属膜形成を開始し、金属膜形成を続行しながら徐々に前記酸素の混入量を減じることを特徴とする金属膜の形成方法。

IPC (7件)：

C30B 25/16 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/44 ,  H05K 3/38 ,  H05K 9/00