特許

J-GLOBAL ID：200903057438499102

プラズマ処理方法

発明者： 堀内 隆夫 ,  田原 好文 ,  新井 泉
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-288014
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204179
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 電極と半導体ウエハとの当接面の密着性を向上させることで電気的結合性や熱伝導性を向上させ、均一性が良く、しかも処理効率が高いプラズマ処理が可能となるプラズマ処理方法を提供する。【構成】 ウエハ搬送装置により気密容器に搬送された半導体ウエハを、電極上方に上昇させた状態のウエハ押し上げピン上に載置する工程と、ウエハ押し上げピンを下降させて半導体ウエハを電極上に設けられた樹脂膜上に載置する工程と、固定機構により半導体ウエハの周縁部を押圧して固定する工程と、半導体ウエハを冷却手段により所定の温度に冷却する工程と、半導体ウエハをプラズマ処理する工程とを具備したことを特徴とするプラズマ処理方法。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生源を備えた気密容器内に電極を配置し、この電極面に半導体ウエハを当接させ、前記電極に設けられた冷却手段により前記半導体ウエハを冷却してプラズマ処理を行うように構成されたプラズマ処理装置において、ウエハ搬送装置により前記気密容器に搬送された半導体ウエハを、前記電極上方に上昇させた状態のウエハ押し上げピン上に載置する工程と、前記ウエハ押し上げピンを下降させて、前記半導体ウエハを前記電極上に設けられた樹脂膜上に載置する工程と、前記電極上方に昇降自在に設けられ下降時に前記半導体ウエハを前記電極に固定する固定機構により、前記半導体ウエハの周縁部を押圧して固定する工程と、前記半導体ウエハを前記冷却手段により所定の温度に冷却する工程と、前記半導体ウエハをプラズマ処理する工程とを具備したことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭56-087667
  
• 特開昭62-105347