特許

J-GLOBAL ID：200903057438573051

薄膜トランジスタ及び表示装置

発明者： 神野 優志
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-094068
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284594
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 電界集中した接合面に光が照射されることを防止するとともに、能動層である多結晶シリコン膜中の結晶粒径が大きく均一なTFTを提供する。【解決手段】 ガラス基板10上に、クロムから成る遮光膜100、絶縁膜101を形成し、その上に非晶質シリコン膜13を積層して、それにレーザ光を照射して多結晶シリコン膜13とし、その多結晶シリコン膜13にLDD構造を有しており、またその上にゲート絶縁膜12及びゲート電極11を形成する。このとき、遮光膜100はLDD領域13LDまでも覆った位置になるように形成されている。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に不透明金属から成る遮光膜を備えており、該遮光膜の上層に、非単結晶半導体膜にレーザ光を照射して多結晶化した半導体膜と、該多結晶半導体膜と絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有したLDD構造を有する薄膜トランジスタであって、前記遮光膜は、前記ゲート電極と平面的に重畳したチャネル領域と、該チャネル領域の両側に設けられた低濃度領域とを、平面的に覆っていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 619 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (44件)：

2H092JA25 ,  2H092JA31 ,  2H092JA32 ,  2H092JA46 ,  2H092JB42 ,  2H092JB51 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB25 ,  2H092MA30 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE04 ,  5F110EE28 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG26 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN46 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19