特許
J-GLOBAL ID：200903057441592300
位相シフトマスクとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
頓宮 孝一 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-063580
公開番号（公開出願番号）：特開平6-095359
出願日： 1993年03月23日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 マスク上の全ての部分を全体的に改良するために、より好適な技術を提供すること。【構成】 マスク基板は、従来の不透明な素子の隣にある、吸収され且つ位相シフトされた素子を支持する。吸収された部分における振幅は画像コントラストを改良することを助けるために負となる。透過率が低すぎる場合は、負の振幅は小さすぎるので有効ではない。他方の極値においては、暗いことが要求される領域を介して、過多の光が透過されるので、この光がゴースト画像を生じることになる。図7の(a)と図7の(b)において、露光-デフォーカス(E-D)図は、コントラストと正規化された焦点深度即ちログ露光の関数としてのk2 において個々の改良点を示しており、共通のE-D領域によって定義付けられた焦点深度(DOF)が減衰位相シフティングによって、より小さくなる場合でも、コントラスト及びDOFにおける種々の組合せによってマスク部分は改良され得る。
請求項（抜粋）：
従来のマスクにおいて使用された不透明のクロムパターンに代わる均一な吸収性位相シフトパターンからなる位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
