特許

J-GLOBAL ID：200903057450733757

イオンビーム分布制御方法およびイオンビーム処理装置

発明者： 土屋 一俊 ,  市村 智
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 吉岡 宏嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-014021
公開番号（公開出願番号）：特開2002-216653
出願日： 2001年01月23日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 プロセス中でも容易に引出しイオンビームの分布を制御でき、均一なイオンビーム、もしくは所望の分布のイオンビームを得る。【解決手段】 イオンビーム処理装置は、プラズマ50を生成して、プラズマ50からイオンビームを引出す引出し電極20を有するイオン源1と、基板40を保持し、引出し電極20によって引出されたイオンビームを基板40に照射して、基板40に対してイオンビーム処理を行う処理室7とを備えている。このようなイオンビーム処理装置において、イオン源1内で引出し電極20との対向面中央に電極26と、内周に沿って電極27を設置する。そして、イオン源1の内部には軸方向成分を持つ磁場を形成しておき、電極26,27の電位を、引出し電極20とは独立して、それぞれ電源36,37によって制御する。

請求項（抜粋）：

イオン源でプラズマを生成するとともに、該プラズマからイオンビームを引出し電極によって引出し、その引出したイオンビームを基板もしくはターゲットに照射して、該基板もしくはターゲットに対してイオンビーム処理を行う際に、前記イオン源内のプラズマ分布もしくはイオン電流分布を操作することで、前記基板もしくはターゲット上におけるイオンビーム分布を制御することを特徴とするイオンビーム分布制御方法。

IPC (5件)：

H01J 27/16 ,  C23C 14/46 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/30 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01J 27/16 ,  C23C 14/46 B ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/30 Z ,  H05H 1/46 L

Fターム (10件)：

4K029DC37 ,  4K029DE02 ,  4K029EA09 ,  5C030DD01 ,  5C030DD02 ,  5C030DE07 ,  5C030DG07 ,  5C030DG09 ,  5C034AA01 ,  5C034AB01