特許

J-GLOBAL ID：200903057450824744

半導体ROM装置及びそのデータ書き込み方法

発明者： 武田 実 ,  曽根田 光生 ,  久保田 重夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-056109
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255843
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【構成】 ワード線Lとデータ線DAとのクロス点をアモルファス・シリコンから成るa-Si配線5で結線し、データのパターンに応じて紫外線レーザ光を上記a-Si配線5に対して選択的にスポット照射することによりデータを書き込む。【効果】 半導体ROM装置のターンアラウンドタイムを短縮することができる。

請求項（抜粋）：

2次元的に配置された配線のクロス点を結線することにより構成されるクロスポイント・セル構造の半導体ROM装置において、上記クロス点はアモルファス・シリコンから成る配線で結線され、この配線に対してデータのパターンに応じて紫外線レーザ光が選択的にスポット照射されることによりデータが書き込まれて成ることを特徴とする半導体ROM装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8246 ,  H01L 27/112 ,  H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 27/10 433 ,  H01L 21/02