特許
J-GLOBAL ID：200903057461825610
シリコン基体の加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347393
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204183
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】シリコン基体にドライエッチングで垂直な側壁をもつ貫通孔と凹部を高い精度で形成する。【構成】SF6 とO2 の混合ガスを用いたドライエッチングで、一面上のAlあるいはSiO2 からなるマスクの開口部からエッチングして凹部とそれと貫通孔の同じ深さの部分を形成し、他面上の同様のマスクの開口部からエッチングして貫通孔の残りの部分を形成する。そして、開口部の面積をほぼ等しくするか、大きい面積の開口部は、サイドエッチングで残存しなくなる程度の狭いマスクを介しての複数個の開口部に分割し、各開口部からのエッチング速度を均一にする。
請求項（抜粋）：
シリコン基体の一面から対向する他面に達する貫通孔および一面から所定の深さを有する凹部をドライエッチングで形成するシリコン基体の加工方法において、シリコン基体の一面および他面にマスクを形成し、そのマスクの開口部を通じて、凹部を一面からの、貫通孔を両面からの六弗化硫黄および酸素の混合ガスを用いたドライエッチングにより形成することを特徴とするシリコン基体の加工方法。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
