特許

J-GLOBAL ID：200903057463661020

加工方法および半導体検査方法

発明者： 宍戸 貴男 ,  関原 雄 ,  吉永 一正 ,  大島 英樹 ,  大薮 康二 ,  大園 世子 ,  久保 真紀 ,  峯尾 江利子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-238005
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084020
出願日： 1996年09月09日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】 FIB加工の時間を短縮し、TEMを用いた検査作業の効率を向上させる。【解決手段】 半導体素子における断面薄肉部である観察部2aの両側部2dをダイシング装置によって機械的切削することにより、イオンミリング装置によって仕上げビーム5aを照射する際の仕上げビーム5aの通路を含む両側部2dを除去し、両側部2dの除去後、FIB装置によってイオンビームを照射して観察部2aを粗加し、その後、観察部2aの四方向からイオンミリング装置によって仕上げビーム5aを照射することにより、観察部2aを仕上げ加工して試料2を形成し、これによって形成された試料2の観察部2aをTEMを用いて検査する。

請求項（抜粋）：

被加工物に断面薄肉部を形成する加工方法であって、前記被加工物における前記断面薄肉部の周辺部を機械的切削し、前記周辺部を除去した後、イオンビームを照射して前記断面薄肉部を形成することを特徴とする加工方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ,  G01N 1/28 ,  G01N 1/32 ,  H01J 37/30 ,  H01L 21/3065

FI (6件)：

H01L 21/66 J ,  G01N 1/32 B ,  H01J 37/30 Z ,  G01N 1/28 G ,  G01N 1/28 F ,  H01L 21/302 D