特許

J-GLOBAL ID：200903057464555231

電荷注入型スピントランジスタ

発明者： 藤原 良治 ,  和田 隆亜 ,  寺本 洋二
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-265073
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078147
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】 磁場以外の他の制動によって電荷整列相転移を誘起させ、これをメモリデバイスに用いた電荷注入型スピントランジスタを得る。【解決手段】 ペロブスカイト型Mn酸化物層12にソース電極13、ドレイン電極14を設け、さらに上記電荷整列相転移を誘起させるために上記ペロブスカイト型Mn酸化物層12上に絶縁層15を介してゲート電極16を有する構造とする。このゲート電極16に電圧を印加することによりペロブスカイト型Mn酸化物層12内のキャリア(ホール)密度を制御する。このことで、磁場以外の他の制動によって電荷整列相転移を誘起させ、これをメモリデバイスに用いることを可能とする。

請求項（抜粋）：

基体上に設けられた電荷整列相転移効果を持つ酸化物層、並びにソース電極、ドレイン電極と、ゲート電極間に形成された該ゲート電極からの電荷を注入する酸化物層とを有して構成されたことを特徴とする電荷注入型スピントランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/82 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

H01L 29/82 T ,  H01L 21/316 G ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (10件)：

5F058BA11 ,  5F058BB06 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF12 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F083FZ10