特許
J-GLOBAL ID：200903057466610000
ストロンチウム-チタン系酸化物薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-079716
公開番号（公開出願番号）：特開平6-293955
出願日： 1993年04月06日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 Tiを含まないSrOターゲットを用いて、Tiの供給源としてTiCl4 を用いることによってSrTiO3 薄膜の組成を容易に制御する。【構成】 ボンベ27内のO2 ガスは流量制御装置16によって流量制御され真空室11内に導入される。ボンベ1内のArガスは流量制御装置2によって流量制御されたのち真空室11内に導入される。流量制御装置3によって流量制御された不活性ガスArはアンプル6内のTiCl4 をバブリングして気化したTiCl4 とともに真空室内に導入される。SrOセラミックターゲット10は、高周波電源8によって高周波電圧を印加されターゲット10上にプラズマが発生する。このプラズマによってSrOターゲットの表面からSr,O原子またはイオンあるいはそれらの複合体がたたき出されターゲット11に対向する位置に置かれた基板23上にSrTiO3 薄膜が形成される。
請求項（抜粋）：
スパッタリング法を用いて、真空室内に不活性ガスと反応性ガスを導入し、真空室内に設置された、SrとTiと酸素とによって構成されたターゲットに外部より高周波電界を印加しプラズマを発生させ、前記ターゲットに対向する位置に置かれた基板上にSrTiO3 薄膜を製造する方法であって、前記ターゲットが少なくともSrによって構成され、反応性ガスとして少なくともTiCl4 を導入することを特徴とするストロンチウム-チタン系酸化物薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
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